Imagerie par contraste de canalisation des électrons (ECCI) et défauts cristallins

Ajouter à la bibliothèque

M4145 V1 Article de référence

Imagerie par contraste de canalisation des électrons (ECCI) et défauts cristallins

Auteur(s) : Nabila MALOUFI

Date de publication : 10 décembre 2021 | Read in english

Ajouter à la bibliothèque Ajouter à la bibliothèque

Logo Techniques de l'Ingenieur Cet article est réservé aux abonnés
Pour explorer cet article plus en profondeur Consulter un extrait gratuit

Déjà abonné ?

Présentation

RÉSUMÉ

La caractérisation dans un microscope électronique à balayage des défauts cristallins - dislocations, défauts d’empilement, sous-joints de grains - dans un matériau massif a ouvert la voie à des avancées spectaculaires en sciences des matériaux. Cet article présente l’imagerie par contraste de canalisation des électrons, notée ECCI,  avec ses limites et ses avantages, les conditions techniques pour son optimisation ainsi que la réalisation des pseudodiagrammes de Kikuchi haute résolution obtenus par précession du faisceau d’électrons pour le contrôle des conditions de canalisation. L’apport de l’ECCI à la science des matériaux est illustré par l’analyse de quelques défauts cristallins.

Lire cet article issu d'une ressource documentaire complète, actualisée et validée par des comités scientifiques.

Lire l'article

AUTEUR(S)

  • Nabila MALOUFI : Maître de conférences – HDR - Laboratoire d’Étude des Microstructures et de Mécanique des Matériaux, UMR 7239 CNRS, université de Lorraine, Metz, France

 INTRODUCTION

La technique d’imagerie par contraste de canalisation des électrons (en anglais ECCI pour Electron Channelling Contrast Imaging), mise en place dans un microscope électronique à balayage (MEB), permet de révéler des défauts cristallins tels que des dislocations ou des défauts d’empilement proches de la surface d’un échantillon massif. Cette technique est la conséquence directe de l’observation fortuite d’une modulation d’intensité, sous forme de bandes délimitées par des lignes sombres, sur une micrographie collectée sur un monocristal de GaAs et enregistrée sur un détecteur d’électrons rétrodiffusés par Coates en 1967.

Il s’agit en réalité d’un diagramme de canalisation nommé également « pseudodiagramme de Kikuchi » ou « ECP » pour Electron Channelling Pattern. L’extrême sensibilité de ce diagramme à l’orientation du cristal par rapport au faisceau d’électrons incidents constitue à la fois un grand avantage mais également un inconvénient. L’avantage est que cet ECP peut apporter des informations précises sur l’orientation du cristal dans le repère du microscope ou révéler même de très faibles désorientations entre deux cristaux.

Au voisinage de l’incidence de Bragg pour une famille donnée de plans hkl, l’intensité rétrodiffusée par un cristal parfait varie brutalement et passe par un minimum correspondant à la canalisation des électrons quand l’angle d’incidence augmente légèrement. C’est ainsi qu’un cristal imagé sous cette condition d’incidence présentera un rendement en électrons rétrodiffusés minimal. La présence d’un défaut comme une dislocation qui produit en son voisinage une distorsion du réseau va induire une forte variation d’intensité contrastant le défaut. L’ECCI repose sur ce phénomène. Il faut donc disposer au sein d’un microscope à balayage d’un moyen très précis de contrôle de l’orientation du cristal par rapport au faisceau primaire pour pouvoir mener des expériences ECCI. L’ECP dont la résolution spatiale est millimétrique ne peut être réalisé que sur un monocristal. Pour mener ce type d’expérience sur des polycristaux, il faut pouvoir réaliser des ECP sur une zone réduite par précession du faisceau d’électrons (diagrammes nommés « SACP » pour Selected Area Channelling Pattern). Et c’est l’inconvénient majeur de cette technique.

Depuis l’observation de Coates (1967), des solutions ont été proposées pour pallier cette difficulté. Les colonnes électroniques ne cessent d’évoluer et les détecteurs sont plus sensibles. La résolution spatiale des SACP s’est améliorée, ouvrant la voie à des caractérisations ECCI plus précises dans les polycristaux à grains fins, comme cela sera détaillé dans cet article. Parmi les avantages de la technique, la possibilité de procéder à des caractérisations de défauts successives dans différentes...

Cet article est réservé aux abonnés
Logo Techniques de l'Ingenieur

Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.

Cet article est réservé aux abonnés Consulter un extrait gratuit

Déjà abonné ?


MOTS-CLÉS

MEB   |   Défauts cristallins   |   Imagerie par contraste de canalisation des électrons (ECCI)   |   Electrons rétrodiffusés (BSE)

DOI (DIGITAL OBJECT IDENTIFIER)

https://doi.org/10.51257/a-v1-m4145

Lecture en cours
Imagerie par contraste de canalisation des électrons (ECCI) et défauts cristallins

Article inclus dans l'offre

"Étude et propriétés des métaux"

( 258 articles )

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.

Services

Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.

Des modules pratiques

Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.

Des avantages inclus

Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.

Voir le détail de l'offre

Dans les ressources documentaires

Texture et anisotropie des matériaux polycristallins - Cartographie par diffraction de Kikuchi

L'article donne un bref aperçu des bases de la diffraction de Kikuchi, du dispositif expérimental en TEM ...

Étude des métaux par microscopie électronique en transmission (MET) - Microscope, échantillons et diffraction

La microscopie électronique à transmission (MET), en donnant de l’objet mince une image globale avec une ...

Microscopie de fluorescence biomédicale

La microscopie de fluorescence nécessite d'une part un instrument spécifique et des molécules fluorescent...

Microscopie optique en champ proche. Principe

La microscopie optique en champ proche permet d’atteindre une résolution sub-longueur d’onde (interdite e...

WhitePaper Rendez-vous Carnot 2016
18 novembre 2016
Rendez-vous Carnot 2016

Lieu de rencontre majeur pour l’innovation, les Rendez-vous Carnot se tiendront les 5 et 6 octobre prochains à Lyon. Convention d’affaires permettant aux entrep...

Tous les livres blancs
Toutes les actualités

Inscrivez-vous aux newsletters !

Contactez-nous