1. Problématique de la mesure de température des composants semi-conducteurs de puissance
Cet article propose de discuter des moyens d’accéder à la température des composants de puissance. La notion de composant de puissance est utilisée ici afin de les distinguer des composants électroniques tels que les microprocesseurs et autres circuits dédiés à la gestion et au stockage de l’information. Même si certains principes exposés ici pourraient être appliqués à des composants électroniques, leur usage est bien différent de celui des composants de puissance qui permettent d’optimiser les transferts de l’énergie électrique sous des niveaux de tension pouvant atteindre plusieurs milliers de volts. L’autre spécificité permettant de distinguer les composants de puissance est le niveau des pertes dissipées qui peut se chiffrer en kilowatt pour un composant IGBT silicium 3300 V-1200 A et est combiné à une densité de puissance de l’ordre de la centaine de watts par centimètre carré à l’échelle...
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Problématique de la mesure de température des composants semi-conducteurs de puissance
Caractérisation thermique des modules de puissance avec des paramètres thermosensibles
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