4. Silicium amorphe hydrogéné (SiaH)
Le silicium amorphe peut être facilement élaboré en couche mince en réalisant, à basse température (< 300 o C), sur substrat monocristallin ou amorphe (plaque de verre par exemple), un dépôt de silicium par évaporation sous vide ou pulvérisation cathodique. Pendant longtemps, ce matériau n’a eu aucune application pratique : sa résistivité est très élevée (beaucoup plus élevée que celle du silicium monocristallin intrinsèque puisque la largeur de sa bande interdite de mobilité ou « gap de mobilité » est de l’ordre de 1,7 eV) et il était impossible de moduler sa résistivité par l’adjonction d’impuretés de dopage
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Silicium amorphe hydrogéné (SiaH)
Références bibliographiques
Matériau monocristallin
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