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Chargée de Recherche CNRS - Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS-UM2, Département Semiconducteurs, Matériaux et Capteurs, Université Montpellier 2
Relu et validé
D'une façon générale, le domaine d'application privilégié du carbure de silicium (SiC) est la distribution de l'énergie électrique avec une forte valeur ajoutée dans les composants de puissance. Les premières diodes Schottky 600 V sont apparues les premières sur le marché, suivies par des transistors MOS et JFET. Dans cet article, les différentes technologies de mises en œuvre (comme l’épitaxie, le dopage des couches, l’oxydation, la gravure ou encore le contactage) sont étudiées, l'état de l'art paru est également repris. L’article inclut de plus des applications électroniques récentes, comme la croissance de graphène sur SiC.