Découvrez la filière FD-SOI avec ses dispositifs de base, les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques spécifiques. Les atouts de ces composants sont nombreux, notamment l’incomparable flexibilité par rapport aux structures concurrentes et des épaisseurs bien inférieures à 10 mm.

Le SOI (silicium sur isolant) consiste en une épi-couche séparée du substrat de silicium par une mince couche d’un matériau isolant. Cette technologie, malgré un surcoût de fabrication, permet un important gain de performance qui en fait un substrat de choix pour les transistors.