Stéphane LEFEBVRE

Découvrez les principes de commande des principaux composants à semi-conducteur de puissance bipolaires à commande en courant. Certains de ces composants sont dédiés à des applications très spécifiques, le cas des thyristors et ICGT dans le domaine de la très forte puissance retenus pour leur robustesse et leurs performances à l’état passant.

Les performances en conduction et en commutation des composants à semi-conducteur de puissance sont liées aux grandeurs électriques de leur circuit de commande rapprochée. Apprenez les spécificités des thyristors et des triacs, des transistors bipolaires et des composants à grille en vue de leur commande.

Chaque composant à semi-conducteur de puissance a besoin pour fonctionner d’un circuit dédié de commande rapprochée, qui permet de garantir le fonctionnement fiable et optimal du composant. Les contraintes d’isolement statique et dynamique au niveau de ces circuits ne cessent de croître.

Cet article décrit les principes de commande et des exemples de montage pour quelques composants bipolaires de puissance. Les composants présentés sont les thyristors avec une description de la nécessaire synchronisation  des circuits de déclenchement. Puis, l'article aborde les triacs, qui se commandent sensiblement comme des thyristors. Et enfin, l'article détaille  les transistors bipolaires, et les thyristors GTO et GCT, dont  le principe de commande est assez proche de celui des transistors bipolaires. 

Cet article présente les circuits de commande des transistors à grille isolée MOSFET et IGBT. Il donne des éléments de dimensionnement et de protection contre les court-circuits. Puis il fournit des exemples de circuit de commande pour transistor low side sans isolation et pour transistor high side. Enfin les principes de commande des transistors IGBT de très fortes puissances sont présentés, avec des exemples concrets d'application.