Présentation
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Lire l'articleAUTEUR(S)
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Stéphane LEFEBVRE : Agrégé de Génie électrique - Docteur de l’École normale supérieure de Cachan - Maître de conférences au Conservatoire national des arts et métiers
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Bernard MULTON : Agrégé de Génie électrique - Docteur de l’Université de Paris 6 - Professeur des Universités à l’École normale supérieure de Cachan – antenne de Bretagne
INTRODUCTION
Dans cet article, nous étudions les composants à semi-conducteurs de puissance, déjà présentés en [D 3 230] :
les thyristors et les triacs, qui fonctionnent aujourd’hui quasi-exclusivement dans des convertisseurs où les blocages sont assistés par le réseau (redresseurs, gradateurs) ou par la charge (systèmes résonants) ;
les transistors bipolaires et les thyristors GTO dont les caractéristiques sont très proches ;
les transistors à grille isolée (MOSFET et IGTB) auxquels l’entrée capacitive confère un comportement tout à fait spécifique.
Pour chacune de ces catégories de CSCP, les circuits de commande seront détaillés dans les articles suivants [D 3 232] [D 3 233].
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VERSIONS
Il existe d'autres versions de cet article :
- Version courante de avr. 2018 par Stéphane LEFEBVRE, Bernard MULTON, Nicolas ROUGER
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CET ARTICLE SE TROUVE ÉGALEMENT DANS :
Commande des semi-conducteurs de puissance : principes
Commande des thyristors et triacs
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