| Réf : E2490 v1

Semiconducteurs pour hyperfréquences

Auteur(s) : Guy CONVERT

Date de publication : 10 déc. 1980

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  • Guy CONVERT :

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INTRODUCTION

   1 Composants actifs en hyperfréquences

   1.1 Mécanismes fondamentaux. Dynamique des porteurs dans un semi-conducteur

   1.2 Équations générales

   1.3 Éléments non linéaires

   1.4 Classes de dispositifs

   2 Éléments non linéaires

   2.1 Diodes à jonction P-N

   2.11 Caractéristiques statiques

   2.12 Caractéristiques dynamiques

   2.13 Commande de charge

   2.14 Étude des transitoires

   2.2 Diodes à barrière de Schottky

   2.21 Jonction métal-semiconducteur à l'équilibre

   2.22 Jonction polarisée

   2.23 Injection de porteurs minoritaires

   2.3 Diodes à effet tunnel

   2.31 Principe de fonctionnement

   2.32 Estimation du courant

   2.33 Fonctionnement dynamique

   2.4 Différents types de diodes: circuits d'utilisation

   2.41 Varactors

   2.42 Filtres et oscillateurs accordables

   2.43 Amplificateurs paramétriques

   2.44 Multiplicateur de fréquence par varactors et diodes snap-off

   2.45 Diodes PIN. Modulateurs et déphaseurs

   2.46 Diodes mélangeuses. Changement de fréquence

   3 Diodes à résistance négative à effets de volume

   3.1 Structure et caractéristiques de la diode à avalanche

   3.11 Structure et caractéristiques statiques

   3.12 Caractéristiques dynamiques

   3.13 Rendement maximal

   3.14 Température de bruit de la diode à avalanche

   3.2 Dispositifs à transfert d'électrons

   3.21 Mécanismes fondamentaux

   3.22 Instabilités convectives. Analyse linéaire

   3.23 Analyse non linéaire: domaines et couches d'accumulation

   3.24 Instabilités absolues

   3.3 Amplificateurs et oscillateurs à diodes. Circuits d'utilisation

   3.31 Amplificateur à résistance négative

   3.32 Fréquence et niveau d'oscillation des oscillateurs à résistancenégative

   3.33 Synchronisation et bruit des oscillateurs à diodes

   4 Dispositifs à commande de charge

   4.1 Structure et caractéristiques du transistor bipolaire

   4.2 Caractéristiques des transistors à effet de champ

   4.3 Facteur de bruit des transistors

   4.4 Différents types de transistors. Circuits d'utilisation

   5 Comparaison des performances des différents composants

   5.1 Puissance et fréquence

   5.2 Amplification

   5.3 Facteur de bruit

   Index bibliographique

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VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-e2490


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