Technologie de fabrication de la microélectronique Opérations élémentaires

   1 Matériaux semiconducteurs

   1.1 Cristaux massifs

   1.11 Matériaux de base

   1.12 Structure cristalline

   1.13 Croissance cristalline

   1.14 Caractérisation et évaluation

   1.2 Silicium sur isolant

   1.21 Silicium sur corindon

   1.22 Silicium sur silice

   1.23 SIMOX

   1.24 FIPOS

   2 Dépôts de couches minces

   2.1 Épitaxie de silicium par CVD

   2.2 Dépôts de couches minces assistés par plasma

   2.3 Dépôts physiques en phase vapeur

   3 Dopage

   3.1 Diffusion

   3.2 Implantation d'ions

   4 Oxydation

   4.1 Oxydation thermique

   4.2 Caractéristiques du SiO2

   4.3 Nitrure de silicium

   5 Lithographie

   5.1 Photolithographie

   5.2 Masques

   5.3 Tolérances

   5.4 Resists

   5.5 Lithographie par faisceau d'électrons

   5.6 Lithographie par rayons X

   6 Gravure par plasma

   6.1 Plasmas

   6.2 Contrôle de profil

   6.3 Contrôle de procédé

   7 Montage

   7.1 Passivation

   7.2 Contact face arrière

   7.3 Contacts face avant

   7.4 Encapsulation