à hétérostructures III-V à base de GaN. Les cristaux de structure wurtzite s’organisent suivant deux sous-réseaux... HEMT GaN... Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap [...]
10 mars 2024
Ressources documentaires
Une base de connaissances techniques et scientifiques de référence, des outils et services pratiques
Les domaines d'expertises
Magazine d'Actualité
Découvrez gratuitement toute l'actualité, la veille technologique, les études de cas et les événements de chaque secteur de l'industrie.
à hétérostructures III-V à base de GaN. Les cristaux de structure wurtzite s’organisent suivant deux sous-réseaux... HEMT GaN... Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap [...]
10 mars 2024
technologique remarquable. Les hétérostructures GaN sur Si souffrent malheureusement d'un désaccord de maille... désaccord de maille (de l'ordre de 1 % comme dans le cas des jonctions GaAlN/GaN des HEMT GaN (§ 3.1) ou [...]
10 nov. 2011
élastique ne sont pas favorables, notamment pour la fabrication de lasers. La famille des nitrures (GaN, Al... la croissance d’hétérostructures contenant une quantité réduite de défauts. Ce n’est pas le cas... de plusieurs %. En [...]
10 juil. 2005
Contact
Aide en ligne