Transistor finfet : définition

Cet article a pour objectif de fournir les bases de compréhension du fonctionnement des transistors de type MOS (métal-oxyde-semi-conducteur) sur silicium…

Dès la fin des années 50, les modèles des transistors bipolaires au germanium, en régime linéaire petits signaux, sont suffisamment précis pour permettre…

Cet article traite des circuits intégrés microondes (MMIC). Il décrit les principes de fonctionnement des transistors à effet de champ et bipolaires relat…

La récente technologie Fully Depleted SOI (FD-SOI) est le prolongement naturel du SOI pour réaliser des circuits intégrés à forte densité, haute fréquence…

Cet article traite de l’état de l’art et des perspectives des dispositifs FDSOI (Fully Depleted Silicon On Insulator). Les avantages de ces technologies p…

Les circuits intégrés CMOS avancés sont désormais implémentés dans des technologies dites à film mince (FinFET, FDSOI), afin d’améliorer le contrôle élect…

Dans cet article, l'état de l'art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circu…

Cet article décrit le fonctionnement du transistor bipolaire et présente les procédés de fabrication associés dans le cas plus spécifique du transistor bi…

Les composants microélectroniques dits à hétérojonction, qui ont suivi la génération des homojonctions, permettent de combiner, au sein d'un même composan…

Cet article est une revue de l’utilisation du dépôt par couches atomiques dans le secteur de la microélectronique, en termes d’élaboration de couches minc…

La production de circuits intégrés nécessite un grand nombre d'étapes de fabrication, et cela à des échelles nanométriques. Ces procédés n'étant pas parfa…

La microélectronique de puissance est une branche de la microélectronique qui s’intéresse à la conception et à la fabrication de composants à semi-conduct…

Attendre que son ordinateur démarre pourrait bientôt être de l'histoire ancienne. Comment ? Grace à la fabrication de transistors aux propriétés ferroélec…

La découverte d'une équipe internationale de chercheurs pilotée par le CNRS et l'Université Paris-Sud 11 ouvre des perspectives pour l'élec…

Des chercheurs ont mis au point un nouveau procédé de fabrication de transistors flexibles à partir de graphène solubilisé.

Conçu par Soitec, le substrat FD-SOI améliore l'efficacité énergétique des transistors sans alourdir les coûts de production. Ces qualités sont prisées pa…

Des chercheurs de l’EPFL en Suisse ont conçu un nanodispositif capable de générer des ondes térahertz haute puissance. Il serait 10 fois plus rapide que l…

Une équipe de chercheurs du MIT est parvenue à combiner dans une seule puce électronique deux matériaux semi-conducteurs : du silicium et du nitrure de ga…

IBM annonce avoir réussi à créer des puces avec un procédé de gravure en 2 nm. Jusqu'à présent, il n’y avait que TSMC qui s’approchait de cette finesse a…

Quelle nouveauté a émergé dans le domaine des matériaux en ce mois de novembre ? Des circuits intégrés «caoutchouteux» capables de s'adapter aux déformati…

Une équipe de chercheurs texans a mis au point le premier transistor en silicène, le plus fin des matériaux dérivés du silicium.

Dotfive a pour objectif de permettre au transistor bipolaire à hétérojonction silicium/germanium d'atteindre la gamme de fréquence maximum d’oscillation d…

Conçue par des chercheurs de l’Université de Princeton, cette puce pourrait être exploitée par des datacenters pour réduire les temps de réponse.