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Dotfive, objectif 0.5 térahertz

Posté le par La rédaction dans Informatique et Numérique

Dotfive a pour objectif de permettre au transistor bipolaire à hétérojonction silicium/germanium d'atteindre la gamme de fréquence maximum d’oscillation de 0,5 térahertz. Le consortium qui réunit de nombreux partenaires, ST Microelectonics en tête, se veut une zone d’excellence au niveau mondial dans le domaine approchant le térahertz.

« Actuellement, je ne pense pas qu’il existe de projet connu du grand public à des fréquences aussi élevées en silicium », affirme Gilles Thomas, coordinateur du projet Dotfive. Le consortium qui réunit de nombreux partenaires (cf. encadré), ST Microelectonics en tête, se veut une zone d’excellence au niveau mondial dans le domaine approchant le térahertz. Lancé en janvier 2008, ce programme européen est financé à 50 % par le 7e programme de recherche pour un budget global de 15 millions d’euros. Il vise à faire atteindre au transistor bipolaire à hétérojonction silicium/germanium la gamme de fréquence maximum d’oscillation de 0,5 térahertz (d’où l’intitulé dotfive) ou 500 GHz. Dans ces bandes de fréquences, les circuits font appel à du semi-conducteur de type III-V comme l’arséniure de gallium (GaAs). Cependant, dans les applications à faibles puissances, l’utilisation transistor bipolaire hétérojonction sur substrat silicium permet une bien plus grande densité d’intégration électronique et donc de réduire les coûts, sachant que les usines produisant déjà des circuits sur silicium abondent. Le projet permettra le développement de circuits intégrés de télécommunication, d’imagerie ou de radars opérant à des fréquences atteignant les 160/180 GHz.

Photo : Test de composants sur plaque de silicium par des sondes de mesure hyperfréquences – © Dotfive
500 GHz en juillet 2011
Dotfive pourrait ainsi permettre une démocratisation du circuit radar automobile (cf. tableau). D’autres applications existent par exemple dans l’imagerie très haute fréquence dans les scanners d’aéroports ou encore dans la communication inter-satellites. « De nombreuses applications restent à inventer, explique Gilles Thomas. Le transistor térahertz est ce qu’on appelle une ‘enabling technology’ qui rend des applications et des idées réalisables ». Dotfive a démarré quand l’état de l’art était d’atteindre 250 GHz. Aujourd’hui, les meilleurs composants atteignent 425 GHz et l’objectif de 500 GHz est repoussé de fin 2010 à juillet 2011. « On obtiendra plus que des composants unitaires, on aura des démonstrateurs avec une circuiterie utilisant aussi des éléments passifs capable de générer des fonctions complexes », conclut-il. CGPartenaires de Dotfive
  • ST Microelectronics
  • Infineon Technologies AG
  • IMEC (Institut de micro-électronique et composants)
  • IPB (Institut Polytechnique de Bordeaux)
  • IHP (Institut für innovative Mikroelektronik)
  • TUD (Université de Technologie de Dresde)
  • UoS (Université de Siegen)
  • UoW (Université de Wuppertal)
  • JKU (Université Johannes Kepler de Linz)
  • BU (Université Bundeswehr de Munich)
  • UN (Université de Naples)
  • IEF (Institut d’Electronique Fondamentale) Université Paris-Sud Orsay
  • XMOD Technologies 
  • Alma Consulting Group
En savoir plus : www.dotfive.eu
   Sommaire cahier térahertzA la Une :
  • « Nous n’avons pas encore trouvé la killer application »
  • « Le térahertz suscite beaucoup d’enthousiasme car il faut tout inventer »
Comprendre :
  • Le térahertz décrypté
  • Sources et détecteurs aux fréquences térahertz
Dans les labos :
  • Amplifier les impulsions térahertz grâce à la commutation de gain
  • Dotfive, objectif 0.5 térahertz

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