3. Perspectives et évolutions
La première utilisation industrielle de l’ALD en microélectronique peut être datée de 2007, avec l’introduction du HfO2 de grille dans les transistors Intel au nœud 45 nm. Bien que cette technique ait été disponible depuis 1998, les industriels de la microélectronique étaient sceptiques quant à son utilisation en production. Lorsque le choix du HfO2 en diélectrique de grille a été arrêté au début des années 2000, les fabricants ont d’abord tenté de l’obtenir par pulvérisation cathodique (PVD), en raison de sa rentabilité à la fabrication, d’un temps de dépôt plus court, et d’une maintenance moins coûteuse. Toutefois, tous les essais en PVD ont conduit à la formation d’un film de HfO2 de moins bonne qualité électrique, soit lacunaire, soit avec impact physique d’espèces sur l’interface sous-jacente.
Cet exemple typique montre que l’ALD n’est utilisée en production...
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Perspectives et évolutions
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