4. Dispositifs innovants en technologie FD-SOI
Les atouts de la filière FD-SOI (film ultra-mince, isolation diélectrique, polarisation du substrat, etc.) ont permis l’éclosion de dispositifs originaux dont certains sont présentés dans ce chapitre. À titre d'exemple, le transistor tunnel (TFET) est en fait une diode PIN comme en figure 21 a , polarisée en inverse. Une tension positive sur la grille émule une région N + adjacente au terminal P + . Le mécanisme tunnel bande-à-bande (BTBT) engendre un courant qui théoriquement bénéficie d’une pente sous le seuil ( swing ) inférieure à la limite thermodynamique de 60 mV/décade
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Dispositifs innovants en technologie FD-SOI
Conclusions et perspectives
Sources bibliographiques
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