1. Propriétés physiques des matériaux III-N
1.1 Structure cristalline
Les matériaux semiconducteurs III-V de la filière nitrure de gallium sont composés d’éléments des colonnes 3 et 5 de la classification périodique de Mendeleïev. Ils peuvent être synthétisés sous trois formes cristallographiques différentes (figure 1 ) :
wurtzite ;
zinc-blende ;
sel gemme.
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Propriétés physiques des matériaux III-N
Hétéroépitaxie des matériaux III-N
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