3. Caractérisation des transistors de type HEMT
Après fabrication, les transistors de type HEMT de la filière GaN dédiés aux applications de puissance sont mesurés en utilisant différentes techniques. Dans ce but, lors de la réalisation d’un jeu de masques, outre les transistors, on inclut différents motifs de tests, permettant de caractériser le bon déroulement du procédé de fabrication (respect des dimensions, rendement, valeurs des paramètres électriques…).
3.1 Caractérisation électrique en régimes statique et impulsionnel
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Caractérisation des transistors de type HEMT
Dispositifs électroniques
Sources bibliographiques
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