Aspects environnementaux
Dispositifs HEMT à base de GaN - Technologie et caractérisation

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E1996 V2 Article de référence

Aspects environnementaux
Dispositifs HEMT à base de GaN - Technologie et caractérisation

Auteur(s) : Jean-Claude DE JAEGER

Date de publication : 10 juillet 2024 | Read in english

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6. Aspects environnementaux

Associé à un substrat carbure de silicium à haute conductivité thermique, le nitrure de gallium apporte aux applications de puissance des avantages considérables : une tenue en tension de 5 à 10 fois supérieure aux semi-conducteurs traditionnels et une meilleure dissipation thermique. Ce semi-conducteur permet de réaliser des composants qui allient tension de claquage, mobilité électronique et courant élevés. Les applications des dispositifs GaN dédiés à la RF ou à l’EP permettent généralement une baisse des coûts et de la consommation d’énergie, qui se traduit par une diminution des émissions de gaz à effet de serre.

Au-delà de la résilience aux radiations, pour les applications satellitaires, les dispositifs GaN offrent des performances électriques RF inégalées par rapport aux composants au silicium et GaAs. Pour les applications spatiales, cela se traduit par...

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