7. Conclusion
Avec les améliorations de la qualité du matériau au niveau de la croissance, de la qualité cristalline et les progrès des processus technologiques permettant des dimensions de plus en plus faibles, différents dispositifs à base de GaN ont été développés. Parmi ceux-ci, on peut citer les diodes électroluminescentes (LEDs) et les lasers dans le domaine de l’optique. Si ce marché reste le plus important en termes de volumes, notamment pour l’éclairage, le HEMT a eu un développement très rapide pour les applications hyperfréquences de puissance dans un premier temps, puis pour la conception de commutateurs de puissance dédiés aux convertisseurs de l’électronique de puissance.
Dans le domaine de l’électronique RF, la filière GaN présente tous les atouts pour supplanter la filière GaAs surtout pour les applications de puissance, mais également pour les amplificateurs...
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Conclusion
Glossaire
Sources bibliographiques
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Article inclus dans l'offre
"Électronique"
(
494 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
