Conclusion
Dispositifs HEMT à base de GaN - Technologie et caractérisation

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Conclusion
Dispositifs HEMT à base de GaN - Technologie et caractérisation

Auteur(s) : Jean-Claude DE JAEGER

Date de publication : 10 novembre 2017 | Read in english

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5. Conclusion

Avec les améliorations de la qualité du matériau au niveau de la croissance, de la qualité cristalline et les progrès des processus technologiques permettant des dimensions de plus en plus faibles, différents dispositifs à base de GaN ont été développés. Parmi ceux-ci, on peut citer les diodes électroluminescentes (LEDs) et les lasers dans le domaine de l’optique. Si ce marché reste le plus important en termes de volumes, notamment pour l’éclairage, le HEMT a eu un développement très rapide pour les applications hyperfréquences de puissance dans un premier temps, puis pour la conception de commutateurs de puissance dédiés aux convertisseurs de l’électronique de puissance.

Dans le domaine de l’électronique RF, la filière GaN présente tous les atouts pour supplanter la filière GaAs surtout pour les applications de puissance, mais également pour les amplificateurs...

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