Dispositifs électroniques
Dispositifs HEMT à base de GaN - Technologie et caractérisation

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Dispositifs électroniques
Dispositifs HEMT à base de GaN - Technologie et caractérisation

Auteur(s) : Jean-Claude DE JAEGER

Date de publication : 10 novembre 2017 | Read in english

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4. Dispositifs électroniques

4.1 HEMTs pour la puissance hyperfréquence

Les transistors HEMT GaN ont pour principales applications la fabrication de composants et de circuits intégrés dédiés aux applications de puissance hyperfréquence. Les principales réalisations ont été essentiellement effectuées sur substrats de SiC et Si. Ces applications hyperfréquences concernent des fréquences de fonctionnement allant de la bande S à la bande W. Les principales applications sont les radars civils et militaires (radars de surface, radars embarqués dans les avions et les drones). Dans le domaine militaire, on peut également citer les brouilleurs, les autodirecteurs de missiles, les liaisons terrestres, terre air et satellites. Dans le domaine des télécommunications, les applications sont les liaisons point à point et...

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