Fabrication et intégration avec la technologie CMOS (BiCMOS)
Transistors bipolaires intégrés - Technologies BiCMOS silicium germanium

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Fabrication et intégration avec la technologie CMOS (BiCMOS)
Transistors bipolaires intégrés - Technologies BiCMOS silicium germanium

Auteur(s) : Pascal CHEVALIER

Date de publication : 10 janvier 2021 | Read in english

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3. Fabrication et intégration avec la technologie CMOS (BiCMOS)

Les informations présentées dans cette partie viennent en complément de celles présentées dans le paragraphe 2 de l’article  [E 1 425] auquel le lecteur est invité à se référer.

3.1 Enjeux et défis de l’intégration BiCMOS

Le principal atout du TBH Si/SiGe est non seulement sa compatibilité, mais sa filiation avec les technologies silicium qui rendent son...

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