3. Fabrication et intégration avec la technologie CMOS (BiCMOS)
Les informations présentées dans cette partie viennent en complément de celles présentées dans le paragraphe 2 de l’article
[E 1 425]
auquel le lecteur est invité à se référer.
Le principal atout du TBH Si/SiGe est non seulement sa compatibilité, mais sa filiation avec les technologies silicium qui rendent son...
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Fabrication et intégration avec la technologie CMOS (BiCMOS)
Sources bibliographiques
-
(1) - MATHIEU (H.), FANET (H.) -
Physique des semiconducteurs et des composants électroniques
.
-
Dunod (2009).
-
(2) - ASHBURN (P.) -
SiGe Heterojunction Bipolar Transistors...
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