5. Conclusion
Cet article, en guise d’introduction à la physique des composants à semi-conducteur de puissance, permet de saisir les mécanismes fondamentaux de fonctionnement. La microélectronique de puissance a su développer des technologies (grand gap) et des composants (IGBT) qui la distingue des technologies de signal (FinFET par exemple) sans pour autant partager de similitudes fortes (le GaN a initialement trouvé sa première application commerciale en RF). Chaque structure a son domaine d’application donnée à la figure 57 qui dépend essentiellement du mécanisme de conduction employé (unipolaire ou bipolaire). Le développement de matériaux à large bande interdite permettra de repousser ces limites une fois que la fabrication, parfois nettement plus...
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Conclusion
Glossaire
Sources bibliographiques
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Article inclus dans l'offre
"Électronique"
(
496 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
