Technologies de mise en œuvre
Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC)

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Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC)

Auteur(s) : Jean Camassel, Sylvie Contreras

Relu et validé le 4 décembre 2017 | Read in english

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4. Technologies de mise en œuvre

4.1 Substrats et pseudo-substrats

Le besoin de réaliser, de façon industrielle, des composants à base de SiC a conduit très rapidement les utilisateurs potentiels à unir leurs efforts pour produire des substrats de qualité « électronique ». Aujourd'hui, dans les laboratoires spécialisés, les lingots atteignent 2 kg ...

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