Modulateur optique par déplétion de porteurs dans le silicium
Mise au point d'un modulateur optique rapide en photonique silicium

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Modulateur optique par déplétion de porteurs dans le silicium
Mise au point d'un modulateur optique rapide en photonique silicium

Auteur(s) : Delphine MARRIS-MORINI, Gilles RASIGADE, Melissa ZIEBELL, Papichaya CHAISAKUL, Jean-Marc FÉDÉLI, Giovanni ISELLA, Daniel CHRASTINA, Laurent VIVIEN

Date de publication : 10 janvier 2012 | Read in english

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2. Modulateur optique par déplétion de porteurs dans le silicium

2.1 Contexte

Les effets réfractifs couramment utilisés dans les modulateurs optiques sont les effets Pockels, Kerr et plasma. Dans un matériau centro-symétrique comme le silicium, l'effet Pockels n'existe pas et l'effet Kerr reste très faible, voire négligeable. La manière la plus efficace d'obtenir une variation rapide des propriétés optiques du silicium aux longueurs d'ondes des télécommunications optiques (1,3-1,55 μm) est donc d'utiliser la variation d'indice de réfraction par variation de densité de porteurs libres 

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