Matériaux semi-conducteurs pour les sources lasers de télécommunications
Lasers et amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour télécommunications optiques

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Matériaux semi-conducteurs pour les sources lasers de télécommunications
Lasers et amplificateurs optiques à semi-conducteurs pour télécommunications optiques

Auteur(s) : Guang-Hua DUAN, Hélène DEBRÉGEAS, Romain BRENOT

Date de publication : 10 juillet 2015 | Read in english

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1. Matériaux semi-conducteurs pour les sources lasers de télécommunications

Il existe principalement deux systèmes de matériaux semi-conducteurs pour les sources lasers utilisées en télécommunications : le système basé sur un substrat en arséniure de gallium (GaAs) et celui basé sur un substrat en phosphure d'indium (InP)  . Le système GaAs couvre la bande de 0,8 à 1,3 μm et le système InP la bande de 1,3 à 1,6 μm. Ces matériaux sont élaborés avec des techniques de croissance telles que l'épitaxie par jet moléculaire ou l'épitaxie en phase vapeur, qui permettent de réaliser des cristaux semi-conducteurs d'excellente qualité. Ces deux systèmes de matériaux présentent des bandes...

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