1. Mémoires DRAM
La première utilisation de l’ALD pour la production en volume de puces date du début des années 2000, pour la fabrication des diélectriques et des électrodes des condensateurs des mémoires DRAM (figure 1 ). Une cellule mémoire élémentaire est formée d’un transistor associé à une capacité, et l’état logique de cette mémoire est alors défini en fonction de la présence ou l’absence de charges électriques aux bornes de la capacité.
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Mémoires DRAM
Les capacités MIM
Sources bibliographiques
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Article inclus dans l'offre
"Électronique"
(
494 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
