2. Caractéristiques des transistors bipolaires et thyristors blocables (GTO) en vue de leur commande
Les premiers transistors de puissance étaient bipolaires, leur maturité technologique fut atteinte à la fin des années 1970, lorsque le niveau de compréhension de leur comportement complexe permit de les améliorer sensiblement. Jusque là, ils se partageaient, avec les thyristors, le marché des composants à semi-conducteurs de puissance. Puis, progressivement et successivement, les MOSFET et les IGBT les détrônèrent de leurs domaines d’applications. Au début du XXI e siècle, ils n’occupent plus que quelques niches. En particulier, on les rencontre dans des applications « grand public » telles les ballasts électroniques pour l’alimentation de tubes fluorescents ou halogènes, ou encore dans les afficheurs cathodiques (TV, moniteurs vidéo), eux-mêmes en déclin. Il pourrait donc sembler inutile de les traiter en détail. Mais en fait, nombre des problèmes...
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Caractéristiques des transistors bipolaires et thyristors blocables (GTO) en vue de leur commande
Caractéristiques des transistors à grille en vue de leur commande
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