4. Conclusion
Les besoins d’efficacité énergétique et de miniaturisation des convertisseurs électroniques de puissance nécessitent de pouvoir monter en fréquence de découpage et de disposer de composants ayant de faibles pertes. Selon les domaines d’application et les puissances visées, les composants silicium seront pour longtemps encore totalement indispensables, mais on voit émerger de nouveaux composants (IGBT de forte tension à tranchées, MOSFET de très faible tenue en tension et composants à matériaux semi-conducteurs grand gap) avec des spécificités de commande, notamment liées à un packaging adapté, et permettant de profiter au mieux de leurs potentialités.
Cet article décrit ainsi les spécificités des composants à semi-conducteurs de puissance en vue de leur commande. Il décrit successivement ces caractéristiques pour les thyristors et les triacs, les transistors bipolaires...
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