2. Technologies CMOS à film mince
À partir des nœuds technologiques 28/20 nm, la technologie utilisée pour la fabrication de puces CMOS a basculé de la technologie bulk (à substrat massif) vers des technologies silicium dites à film mince. De fait, ce sont les seules technologies aujourd’hui utilisées dans les nœuds technologiques avancés. La raison en est simple ; avec le passage à l’échelle des dimensions géométriques des transistors d’un nœud technologique au suivant, et la fin de la loi de scaling de Dennard en 2003, il devenait de plus en plus difficile d’assurer le contrôle électrostatique du canal des transistors MOS. Les caractéristiques électriques des transistors se dégradaient, notamment les courants de fuite, à cause de fuites en profondeur dans le substrat silicium, fuites non contrôlées par la grille. Les spécifications en termes de rapport I...
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Technologies CMOS à film mince
Caractérisation des technologies CMOS
Sources bibliographiques
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