4. Conclusion
Pour la fin de la roadmap nanoélectronique internationale ITRS ( International Technology Roadmap for Semiconductors , terminé en 2016)/IRDS ( International Technology Roadmap for Devices and Systems ) qui a débuté en 2017, plusieurs options sont envisagées pour les deux prochaines décennies. Cet article a traité de l’état de l’art et des perspectives des dispositifs FDSOI ( Fully Depleted Silicon-On-Insulator ) qui sont parmi les plus prometteurs pour de nombreuses applications (logiques, mémoires, capteurs, électronique de puissance, communication RF, possibilité d’utilisation à haute et basse températures ou sous fortes radiations, etc.).
Les principales tendances, défis, limites et solutions possibles pour les dispositifs très fortement...
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