5. Glossaire
FDSOI MOSFET (Fully Depleted Silicon-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
Transistor métal-oxyde-semiconducteur à effet de champ électrique réalisé sur couche mince de silicium-sur-isolant complètement désertée.
More Moore
Loi de Moore donnant les évolutions exponentielles au cours du temps des principaux paramètres des composants nanoélectroniques.
roadmap IRDS
Principale feuille de route internationale actuelle pour l’évolution des performances des composants et systèmes nanoélectroniques.
matériaux 2D
Matériaux d’épaisseur monoatomique pouvant être retenus pour l’intégration ultime des composants FET.
intégration 3D
Intégration suivant la 3e direction en profondeur qui permet de continuer d’augmenter la densité d’intégration des circuits.
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