1. Filière FDSOI
1.1 Contexte et atouts du FDSOI
La filière FDSOI (Fully Depleted Silicon-On-Insulator MOSFET) présente de très grands atouts par rapport aux transistors réalisés sur Si massif ou sur couches de silicium sur isolant (SOI : Silicon On Insulator) partiellement déplétées. Citons en particulier l’intégration possible vers des longueurs de grille décananométriques, une réduction substantielle de la consommation d’énergie à même fréquence de fonctionnement, la possibilité de fonctionner avec de bonnes performances et sans effet parasite important dans une large gamme de température (4 K – 600 K), la réduction de la variabilité des propriétés électriques en raison de l’utilisation de canaux non dopés, l’intérêt pour des applications mémoires DRAM, SRAM, non volatiles, la flexibilité...
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Du MOSFET planaire aux architectures multi-grille et 3D
Sources bibliographiques
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