Architectures innovantes pour transistors SOI ultimes
Technologie silicium sur isolant (SOI)

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Architectures innovantes pour transistors SOI ultimes
Technologie silicium sur isolant (SOI)

Auteur(s) : Sorin CRISTOLOVEANU, Francis BALESTRA

Relu et validé le 13 janvier 2021 | Read in english

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8. Architectures innovantes pour transistors SOI ultimes

8.1 Transistor à tension de seuil dynamique : DT-MOSFET

Le DT-MOSFET est un transistor partiellement déplété très intéressant, qui fonctionne sur le principe d'une tension de seuil dynamique. Cette configuration est simplement obtenue en connectant la grille et la couche de silicium (figure  19 e ). Quand la tension de grille augmente en inversion faible, la croissance simultanée du potentiel dans le film de silicium provoque une réduction graduelle de la tension de seuil. Les composants DT-MOSFET permettent d'obtenir un couplage grille-charge parfait, une pente en faible inversion maximale, une transconductance améliorée et un courant...

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