8. Architectures innovantes pour transistors SOI ultimes
Le DT-MOSFET est un transistor partiellement déplété très intéressant, qui fonctionne sur le principe d'une tension de seuil dynamique. Cette configuration est simplement obtenue en connectant la grille et la couche de silicium (figure
19
e
). Quand la tension de grille augmente en inversion faible, la croissance simultanée du potentiel dans le film de silicium provoque une réduction graduelle de la tension de seuil. Les composants DT-MOSFET permettent d'obtenir un couplage grille-charge parfait, une pente en faible inversion maximale, une transconductance améliorée et un courant...
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Architectures innovantes pour transistors SOI ultimes