2. Avantages fondamentaux
Dans un circuit SOI, chaque transistor occupe un îlot individuel de silicium, isolé diélectriquement du substrat de silicium (figure 1 b ). L’isolation latérale des îlots permet de concevoir des architectures plus compactes que dans le silicium massif, car les caissons ou les tranchés d’isolation deviennent superflus. Quant à l’isolation verticale , garantie par l’oxyde enterré, elle élimine les inconvénients d’un substrat massif : mécanismes d’interférence entre dispositifs voisins (en particulier, l’effet de verrouillage ou...
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Avantages fondamentaux
Dispositifs
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