2. Avantages fondamentaux
Dans un circuit SOI, chaque transistor occupe un îlot individuel de silicium, isolé diélectriquement du substrat de silicium (figure 1b). L’isolation latérale des îlots permet de concevoir des architectures plus compactes que dans le silicium massif, car les caissons ou les tranchés d’isolation deviennent superflus. Quant à l’isolation verticale, garantie par l’oxyde enterré, elle élimine les inconvénients d’un substrat massif : mécanismes d’interférence entre dispositifs voisins (en particulier, l’effet de verrouillage ou latch-up), courants de fuite, etc.
Les régions de source et de drain s’étalent jusqu’à l’oxyde enterré...
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