9. Défis
La technologie SOI est déjà relativement mûre. Cependant, il y a encore des défis dans différents domaines – physique des dispositifs, technologie, modélisation des composants, conception des circuits – avant que le SOI puisse exprimer tout son potentiel et devienne globalement compétitif sur le marché des semi-conducteurs. Les dimensions minimums réalisées jusqu’à présent pour les composants MOS sur SOI sont : longueur de 20 nm, largeur de 10 nm (fils quantiques) et épaisseur de 1 nm. Quand ces dimensions seront cumulées sur un seul transistor, le volume de silicium actif (< 10 −18 cm 3 ) contiendra 10 4 à 10 5 atomes de Si et 0 à 1 défaut. Le dopage de cette couche...
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Défis
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Références bibliographiques
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