9. Défis
La technologie SOI est déjà relativement mûre. Cependant, il y a encore des défis dans différents domaines – physique des dispositifs, technologie, modélisation des composants, conception des circuits – avant que le SOI puisse exprimer tout son potentiel et devienne globalement compétitif sur le marché des semi-conducteurs. Les dimensions minimums réalisées jusqu’à présent pour les composants MOS sur SOI sont : longueur de 20 nm, largeur de 10 nm (fils quantiques) et épaisseur de 1 nm. Quand ces dimensions seront cumulées sur un seul transistor, le volume de silicium actif (< 10−18 cm3) contiendra 104 à 105 atomes de Si et 0 à 1 défaut. Le dopage de cette couche active (1017 à 1018 cm−3) correspondra à une seule impureté, dont la position deviendra importante. En outre, les phénomènes de transport quantique...
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Défis
Conclusion
Références bibliographiques
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Article inclus dans l'offre
"Électronique"
(
496 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
