10. Conclusion
Pour le troisième millénaire, le SOI offre l’opportunité d’intégrer des dispositifs présentant de hautes performances et/ou des éléments innovants qui peuvent repousser les frontières d’intégration des technologies CMOS. Il jouera un rôle substantiel dans la microélectronique du futur si les problèmes subsistants peuvent être rapidement résolus.
Les perspectives à court terme de la microélectronique SOI vont dépendre sensiblement du taux de pénétration des circuits SOI dans le marché basse tension/faible puissance. Non seulement le SOI garantit de meilleures performances dans ce domaine, mais de plus, la plupart des inconvénients (autoéchauffement, effet de porteurs chauds, claquage prématuré, etc.) tendent à disparaître lors d’une opération à basse tension.
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