Fonctionnement du transistor MOS « réel »
Technologies CMOS - Transistor MOS

Ajouter à la bibliothèque

E2430 V3 Article de référence

Fonctionnement du transistor MOS « réel »
Technologies CMOS - Transistor MOS

Auteur(s) : Joris LACORD

Date de publication : 10 mai 2026 | Read in english

Ajouter à la bibliothèque Ajouter à la bibliothèque

Logo Techniques de l'Ingenieur Cet article est réservé aux abonnés
Pour explorer cet article plus en profondeur Consulter un extrait gratuit

Déjà abonné ?

3. Fonctionnement du transistor MOS « réel »

La tension de seuil évaluée sur la capacité MOS nous donne la tension de grille qui sépare les états bloqué et passant (OFF et ON en anglais) du transistor MOS infiniment long. L’état ouvert correspond au régime d’inversion forte, l’état bloqué aux autres régimes. Cette partie propose la description du fonctionnement du transistor MOS en se focalisant sur le transistor MOS de type N (nMOS), avec un substrat de type P et des accès de type N, donc un courant à l’état passant composé d’électrons. Le même raisonnement pourra être mené pour décrire le fonctionnement du pMOS, en changeant seulement le type du dopage dans les équations, c’est-à-dire le signe des charges : l’état passant d’un nMOS est obtenu pour VGS>0...

Cet article est réservé aux abonnés
Logo Techniques de l'Ingenieur

Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.

Cet article est réservé aux abonnés Consulter un extrait gratuit

Déjà abonné ?


Article inclus dans l'offre

"Électronique"

( 494 articles )

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.

Services

Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.

Des modules pratiques

Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.

Des avantages inclus

Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.

Voir le détail de l'offre

Dans les ressources documentaires

Composants bipolaires (thyristors, triacs, GTO, GCT et BJT) : circuits de commande

Cet article présente les principes de commande des principaux composants à semi-conducteur de puissance b...

Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V)

Le comportement des composants électroniques à semi-conducteurs est largement conditionné par la nature d...

Introduction aux composants de microélectronique de puissance

La microélectronique de puissance est une branche de la microélectronique qui s’intéresse à la conception...

Métallurgie pour la microélectronique à support silicium

La microélectronique repose sur l’assemblage de milliards de transistors sur une même puce et relève de t...

Tous les livres blancs
Article « Le edge va être un marché énorme »
24 février 2026
« Le edge va être un marché énorme »

Les puces électroniques ont longtemps été un sujet discret, réservé aux spécialistes. Jusqu’au jour où elles ont manqué. Après le Covid, quelques composants int...

Toutes les actualités

Inscrivez-vous aux newsletters !

Contactez-nous