2. La capacité MOS
La capacité MOS est la base du transistor MOS et est formée par l’empilement d’un métal, d’un isolant et d’un semi-conducteur (figure 4). Pour les technologies CMOS industrielles, le semi-conducteur est du silicium, l’isolant est, au moins en partie, du dioxyde de silicium SiO2, afin de garantir une interface de très bonne qualité avec le silicium du substrat. Le métal est composé généralement de nitrure de titane (TiN) pour les technologies avancées, et de polysilicium dopé à dégénérescence pour les autres. La tension appliquée sur la grille est notée et la valeur du potentiel électrostatique à l’interface oxyde/semi-conducteur...
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La capacité MOS
Fonctionnement du transistor MOS « réel »
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