Miniaturisation, optimisation du transistor et effets parasites
Technologies CMOS - Transistor MOS

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Miniaturisation, optimisation du transistor et effets parasites
Technologies CMOS - Transistor MOS

Auteur(s) : Joris LACORD

Date de publication : 10 mai 2026 | Read in english

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4. Miniaturisation, optimisation du transistor et effets parasites

Cette partie commencera par la description de l’amélioration de la performance du transistor, via l’optimisation du ratio ION/IOFF . Les effets limitants ou parasites associés seront ensuite expliqués dans le contexte de la réduction des dimensions dictée par la loi de Moore.

4.1 Optimisation du ratio ION/IOFF

Optimiser le ratio ION

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