Introduction générale
Composants de puissance en SiC - Technologie

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Introduction générale
Composants de puissance en SiC - Technologie

Auteur(s) : Dominique TOURNIER

Date de publication : 10 février 2007 | Read in english

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1. Introduction générale

Depuis les années 1950 (la fabrication du premier transistor date de 1947) l’électronique de puissance s’est développée autour du silicium. En ce début de XXI e siècle, l’industrie de l’électronique en général et de l’électronique de puissance en particulier reste dominée par le silicium et il est réaliste de penser que cela pourrait rester valable pour les deux prochaines décennies. En effet, aucun autre matériau semi-conducteur n’est actuellement compétitif en terme de qualité de matériau, maturité de la technologie de fabrication des composants et coût de production en ce qui concerne les composants de puissance. Certains matériaux semi-conducteurs tels le GaAs et SiGe (faisant partie de la famille des hétérojonctions)...

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