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RÉSUMÉ
Près d’un siècle après la découverte de ses propriétés semi-conductrices en 1907, le carbure de silicium apparaît sur la scène économique avec la mise sur le marché des premiers composants commerciaux : les diodes Schottky en 2002 et les transistors JFET peu après, ainsi que les MESFET dans le domaine des hyperfréquences. Le prix très élevé des substrats et couches épitaxiées rend impératif d’avoir des simulations numériques très précises des comportements en régime statique et dynamique des composants. En effet, plus les simulations sont précises, plus on peut espérer réduire le nombre d’essais avant de réussir les composants.
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Christophe RAYNAUD : Maître de conférences à l’INSA de LYON
INTRODUCTION
Près d’un siècle après la découverte de ses propriétés semi-conductrices en 1907, le carbure de silicium apparaît sur la scène économique avec la mise sur le marché des premiers composants commerciaux : les diodes Schottky en 2002 et les transistors JFET peu après, ainsi que les MESFET dans le domaine des hyperfréquences. Le prix très élevé des substrats et couches épitaxiées rend impératif d’avoir des simulations numériques très précises des comportements en régime statique et dynamique des composants. En effet, plus les simulations sont précises, plus on peut espérer réduire le nombre d’essais avant de réussir les composants.
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RÉFÉRENCE BIBLIOGRAPHIQUE
Propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium (SiC)
Propriétés du carbure de silicium (SiC)
Références bibliographiques
- (1) - JACQUIER (C.) - Nouvelles approches de la croissance épitaxiale de SiC : transport chimique en phase vapeur (CVT) et techniques à partir d’une phase liquide Al–Si. - Thèse de doctorat, Univ. Claud Bernard, LYON 1, 220 p., soutenue le 18 déc. 2003.
- (2) - KONSTANTINOV (A.O.) et al - Appl. Phys....
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