3. Technologies de fabrication des composants
Les différentes techniques et moyens de fabrication employés pour SiC sont similaires à ceux existants pour la filière silicium. Elles ont fait l’objet de développements et optimisations afin d’être adaptées aux spécificités du SiC.
3.1 Dopage par implantation ionique
Considérant la technologie de fabrication, un grand effort a été porté sur la réduction des dommages produits dans le cristal par l’implantation ionique d’une part et pour conserver l’intégrité de la surface après le processus de recuit post-implantation d’autre part.
En effet, l’impossibilité d’utiliser des techniques classiques de dopage par diffusion de dopants dans le SiC
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Technologies de fabrication des composants
Interrupteurs de puissance en SiC
Références bibliographiques
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