3. Modification et synthèse des matériaux par implantation
À hautes doses, des ions dopants, implantés dans une matrice dans des conditions expérimentales adéquates (température de la matrice, énergie et flux des ions), permettent de synthétiser des couches d’alliage à une profondeur contrôlée
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Cette méthode est employée notamment dans le silicium pour former des couches...
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Modification et synthèse des matériaux par implantation
Sources bibliographiques
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(1) - KOSTLER (H.), TRAVERSE (A.), NEDELLEC (P.), DUMOULIN (L.), RUAULT (M.-O.), SCHAPBACH (L.), BURGER (J.P.), BERNAS (H.) -
A new hydride : MgHx prepared by ion implantation
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Journal of Physics : Condens. Matter, Institut Of Physics (IOP) Publishing Ltd, 3,...
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