3. Modification et synthèse des matériaux par implantation
3.1 Formation de couches enterrées métalliques
À hautes doses, des ions dopants, implantés dans une matrice dans des conditions expérimentales adéquates (température de la matrice, énergie et flux des ions), permettent de synthétiser des couches d’alliage à une profondeur contrôlée .
Cette méthode est employée notamment dans le silicium pour former des couches enterrées...
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Modification et synthèse des matériaux par implantation
Outil de contrôle de l'ordre local
Sources bibliographiques
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