3. Caractéristiques des transistors à grille en vue de leur commande
3.1 Influence du circuit de commande sur les performances des composants à grille
Les transistors MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) et HEMT (High Electron Mobility Transistor) se commandent par l’application d’une tension entre les électrodes de grille et de source (appelée également émetteur dans le cas des IGBT). La quasi-totalité des IGBT et la plupart des transistors MOSFET de puissance sont à canal N. Habituellement, une tension d’environ 15 V est optimale pour rendre passant les transistors MOSFET et IGBT, voire 20 V pour ceux au SiC, alors que 5 V peuvent suffire pour les transistors L2FET (Logic Level Field Effect Transistor), Logic Level IGBT (ou certains HEMT en GaN). Sous...
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Caractéristiques des transistors à grille en vue de leur commande
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