5. Conclusion
Cet article décrit les principaux contextes d’utilisation des circuits de commande rapprochée des composants à semi-conducteur de puissance. Ces circuits comprennent a minima un étage de contrôle statique et dynamique de l’interface de pilotage du ou des CSCP ainsi que d’autres fonctions complémentaires permettant d’observer, de protéger et plus généralement de garantir le fonctionnement fiable et optimal du ou des CSCP.
L’introduction des composants grand gap (SiC et GaN), avec des vitesses de commutation considérablement plus élevées que celles des composants silicium, nécessite le développement de circuits de commande rapprochée adaptés (vitesse de commutation, tenue aux d V /d t , temps morts…). Cette évolution s’est faite en parallèle d’une densification de l’intégration des puces...
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