Dispositif photoconducteur
Photoconducteurs ultrarapides

3.1 Réalisation technologique

Plus précisément, les photoconducteurs réalisés sont constitués à la base d’un mésa d’InGaAs de 0,3 µm d’épaisseur et d’une couche d’arrêt en InAlAs de 0,2 µm d’épaisseur, les deux couches étant épitaxiées sur un substrat d’InP semi-isolant dopé au fer. Après l’épitaxie, des contacts métalliques en Au/Ge sont déposés sur les couches semi-conductrices suivant un motif de peigne interdigité. Les motifs se prolongent en un guide d’ondes hyperfréquences de type coplanaire, pour lequel la ligne de tension et les lignes de masse sont situées sur la même face supérieure du substrat. Une fois les couches métalliques déposées, les photoconducteurs sont irradiés par des ions Au⁺ avec une dose de 10¹¹ cm⁻². La géométrie en peigne « interdigité » des électrodes est définie de telle sorte que les constantes RC du dispositif soient inférieures à la picoseconde. La figure 7 représente une vue de dessus de l’un des dispositifs réalisés.

Nous avons d’abord caractérisé le comportement statique des dispositifs en effectuant une mesure de la caractéristique courant-tension. Le régime s’est avéré être linéaire (ohmique) entre − 1 et 1 V et non linéaire (redresseur) au-delà.

3.2 Génération d’impulsions électriques

Pour étudier la réponse impulsionnelle de ces dispositifs, nous avons développé un banc d’échantillonnage électro-optique ...