Circuits intégrés en arséniure de gallium

1. Introduction

1.1 Pourquoi les circuits intégrés III-V ?

1.2 Composants III-V

1.3 De la recherche au développement

2. Technologie des circuits intégrés III-V

2.1 Technologies alignées : un exemple

2.1.1 Couche active des MESFET

2.1.2 Étapes technologiques

2.2 Évolution

2.2.1 De nouveaux matériaux pour de nouveaux composants

2.2.2 Technologies autoalignées

3. Circuits numériques

3.1 Différents types de portes logiques

3.1.1 Logiques à MESFET à désertion

3.1.2 Logiques à MESFET à enrichissement

3.2 Réalisations des fonctions numériques

3.2.1 Bascules et diviseurs de fréquence

3.2.2 Circuits arithmétiques et réseaux de portes

3.2.3 Mémoires RAM statiques

3.3 Applications, performances et limitations des circuits intégrés numériques III-V

4. Circuits analogiques

4.1 Utilisation du MESFET dans les circuits analogiques jusqu’à 5 GHz

4.2 Applications et performances

4.3 Circuits intégrés hyperfréquences

Références bibliographiques

Cet article fait des emprunts à l’édition précédente rédigée par Marc Rocchi.

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