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Laser à semiconducteur
E1105 v1 Archive

Laser à semiconducteur

Auteur(s) : Baudoin de CREMOUX

Date de publication : 10 juin 1975

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Auteur(s)

  • Baudoin de CREMOUX :

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INTRODUCTION

   Introduction

   1 Principes physiques

   1.1 Seuil d'émission stimulée

   1.2 Utilisation d'hétérojonctions

   2 Structures de lasers à semiconducteur

   2.1 Définition de l'épaisseur de zone active

   2.2 Définition de la largeur de zone active

   2.3 Montage de la puce, boîtier

   3 Caractéristiques des lasers à semiconducteur

   3.1 Caractéristiques électriques

   3.2 Caractéristiques optiques

   3.21 Radiance, directivité

   3.22 Spectre

   3.3 Caractéristiques de transfert

   3.31 Rendement

   3.32 Vitesse de réponse

   3.4 Caractéristiques thermiques

   4 Tendances en 1975

   4.1 Produits commerciaux. Prix

   4.2 Fiabilité

   4.3 Évolution future

   Documentation

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-e1105

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