| Réf : E2410 v1

Technologie de fabrication de la microélectronique Opérations élémentaires

Auteur(s) : Jorge-Luis REGOLINI

Date de publication : 10 juin 1991

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  • Jorge-Luis REGOLINI :

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INTRODUCTION

   1 Matériaux semiconducteurs

   1.1 Cristaux massifs

   1.11 Matériaux de base

   1.12 Structure cristalline

   1.13 Croissance cristalline

   1.14 Caractérisation et évaluation

   1.2 Silicium sur isolant

   1.21 Silicium sur corindon

   1.22 Silicium sur silice

   1.23 SIMOX

   1.24 FIPOS

   2 Dépôts de couches minces

   2.1 Épitaxie de silicium par CVD

   2.2 Dépôts de couches minces assistés par plasma

   2.3 Dépôts physiques en phase vapeur

   3 Dopage

   3.1 Diffusion

   3.2 Implantation d'ions

   4 Oxydation

   4.1 Oxydation thermique

   4.2 Caractéristiques du SiO2

   4.3 Nitrure de silicium

   5 Lithographie

   5.1 Photolithographie

   5.2 Masques

   5.3 Tolérances

   5.4 Resists

   5.5 Lithographie par faisceau d'électrons

   5.6 Lithographie par rayons X

   6 Gravure par plasma

   6.1 Plasmas

   6.2 Contrôle de profil

   6.3 Contrôle de procédé

   7 Montage

   7.1 Passivation

   7.2 Contact face arrière

   7.3 Contacts face avant

   7.4 Encapsulation

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De la conception au prototypage, jusqu'à l'industrialisation, la référence pour sécuriser le développement de vos projets industriels.

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-e2410


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